用于金属化垫的主要电镀化学品,

铜柱,RDL, TSV和双大马士革

我们的产品组合

半导体

集成湿化学工艺和设备解决方案的先进封装,半导体

快速的事实

  • 采用化学和电化学沉积铜的先进包装溶液, Ni, Pd, Sn, 障碍和非盟
  • 最新互连技术的电化学解决方案-大马士革铜和钴
  • 多平台:一种创新的电化学电镀工具
  • 高科技洁净室制造

应用程序

  • 适用于电源芯片和内存的ENEPIG垫金属化
  • 用于FOWLP和FC-CSP的RDL、µ-Vias和柱状镀层
  • µ-通过硅膜,用于传感器和三维堆叠
  • 电源芯片的双面金属化.g. IGBT、mosfet……
  • 用于逻辑、内存和电源集成电路的互连金属化

产品组合

用于FOWLP和FC-CSP的RDL,µ-Vias和柱状镀层

你的挑战:

最新的FOWLP封装技术要求不同结构的电镀解决方案. 铜用于细线RDL,有或没有填充的µ-Vias, 铜柱上有或没有镍屏障层,最后但并非最不重要的锡帽在柱上的障碍. 最重要的是提高铜矿床的纯度,以提高整体可靠性. Cu镀层的纯度决定了整个封装的可靠性,避免了FOWLP中的RDL裂纹或Cu/钎料界面上的微空洞

我们的解决方案:

安泰为支柱提供完整的电镀套件, 最高纯度的铜矿床,最严格的可靠性要求, 无论是RDL , 内孔或铜柱. 一个是所有的Cu溶液. 我们的铜电解液板的每一种结构:µ-孔,细线RDL和柱

我们的产品:

  • Spherolyte®铜UF5:高速铜柱镀,均匀性优异
  • Spherolyte®铜UF3纯性能的所有铜结构:RDL,µ-Via s和柱
  • Promobond®AP2:下一代包装粘合促进剂
  • Spherolyte®倪:焊料与铜之间有效的阻隔层,避免出现空穴
  • Spherolyte®障碍:我们最新的产品,用于2% Ag的可靠互连

电源芯片的双面金属化.g. IGBT、mosfet...

你的挑战:

现代的igbt和功率mosfet需要在晶圆片的两侧进行金属化处理. 在晶圆加工过程中,先电镀后电镀的标准方法常常会遇到应力和翘曲问题. 需要在电源包中嵌入模具的薄晶圆尤其容易受到这种影响. 我们需要的是在晶圆加工过程中有效地减少应力和翘曲

我们的解决方案:

我们提供另一种工艺-同时双面镀铜的正面和背面有效的应力和翘曲缓解:

  • 独立的前后铜厚度控制
  • 太科晶圆加工能力
  • 简化工艺流程
  • 工具和化学都是一手完成的

我们的产品:

多平台®和Spherolyte®MD2:我们的电源ic梦想团队

垫金属化和RDL外壳

你的挑战:

焊丝粘合或焊接-哪一种表面最适合您的包装解决方案? 你如何在合金铝晶圆片或铜晶圆片上得到所需的金属堆? 这能在大批量生产过程中实现吗? 它是否可靠,是否被证明适用于汽车或更恶劣的环境? 所有这些都是典型的问题和挑战,这些问题和挑战在最后定义了哪些金属应该被镀为第一级互连.

我们的解决方案:

  • 通用预处理我.e. 所有Al合金的锌化工艺和Cu晶圆的普遍活化
  • 汽车证明的化学镀镍-化学镀钯-浸金堆栈
  • 非常高的湿工作台生产效率,一次可加工25或50片晶圆
  • 氰化物自由流程
  • 耐高温三元镍镀层
  • 纯钯沉积,提高可靠性

我们的产品:

  • Xenolyte®Pd HS:纯钯,提高焊丝连接性能
  • Xenolyte®倪TR:三元镍沉积或耐高温
  • Xenolyte®盟CF2:无氰浸金工艺
逻辑、内存和电源ic互连金属化解决方案

你的挑战:

下一代互连技术要求极端的湿金属化工艺性能

  • 铜大马士革BEOL互连与极薄种子层的兼容性
  • 对于铜和钴互连,能够填充10 nm以下的预板开口
  • 无空隙,高纯度铜和钴

最重要的是无空隙的互连填充. 日益密集和复杂的互连层需要比以往更高的产量数字.

我们的解决方案:

  • 阿泰可为铜和钴互连提供最先进的湿金属化化学技术
  • 通过使用阿特泰克公司内部开发的化学品,可以很容易地满足极高的纯度要求
  • 每个金属化步骤都有解决方案, 并与所有先进的ECD平台兼容

我们的产品:

  • Everplate®2 x +:高性能添加剂套件,能够填充先进的大马士革铜技术节点
  • Atomplate®公司:用于MEOL互连技术的电解纯Co, 能够提供真正的自下而上填充
高纯度化学制造业

高纯化学生产

半导体行业洁净室制造

我们根据最新和最严格的半导体行业要求生产高纯度的化学产品. 我们的1,位于纽鲁平的500平方米洁净室生产设施, 德国配备了高度自动化的制造设备和封闭的生产环境,确保了高效率, 安全, 环境, 和成本效益的生产.

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电影

多平台®

一个创新的电化学电镀系统的下一代封装技术

“我们不断努力,为半导体行业提供一流的金属化解决方案. 这使我们成为开发下一代技术的宝贵合作伙伴.”

Dr. 基督教Ohde
德国爱泰克半导体高级封装产品全球产品总监

最近的出版物

新一代包装技术的创新电镀系统

本文最初发表在《梅高美集团》杂志上.
因为设备的几何形状继续缩小, 半导体封装技术在保持相关性和经济可行性方面面临着不断的挑战. 现在需要的是开发具有成本效益的创新方法,以满足新出现的需求. 本文将探讨先进包装目前面临的挑战,以及如何通过重新思考传统制造方法来克服这些挑战.

2016, pdf, 3400kb

扇出封装:在移动设备中实现最佳性能的关键因素

本文最初发表于《梅高美集团》.
FOWLP的出现与满足消费电子产品的需求直接相关, 特别是那些移动设备. 本文将探讨扇形包装背后的驱动因素, 关键的处理挑战, 以及应用程序级的需求. 它还将讨论为什么扇出是下一代移动设备的理想封装技术, 并将为晶圆和面板的制造提供一个交钥匙解决方案.

2017, pdf, 200kb

下一代铜柱电镀技术

本文最初发表于《梅高美集团》.
随着行业规模的缩小, 更快的设备, 供应链的所有成员都面临着越来越大的压力,以更低的成本实现更高的性能.
摩尔定律的局限性是显而易见的,先进的技术节点不再提供显著的成本效益. 作为一个结果, 该行业已将重点转向先进的封装,以提高性能和降低成本, i.e. ”摩尔比.”
这种转变的主要驱动因素是性能的提高、功能的增强和成本的降低. 本文将讨论这三个驱动因素是如何导致使用铜柱的倒装芯片封装的出现,以及铜柱技术目前和未来面临的挑战.

2016, pdf, 560kb

SNAGCU钎料与NI(P)/AU, NI(P)/PD/AU UBMS之间的相互作用

Sn3金属间反应的研究.5Ag0.5Cu焊料和两种不同的UBM结构,Ni(P)/Au和Ni(P)/Pd/Au.

2015, pdf, 2260kb

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