电镀

用于封装基材和印刷电路板(HDI/MLB和Flex/Flex- rigid)的集成湿化工艺和设备解决方案

快速的事实

电解电镀在可靠性和生产率方面有最高的要求
各种设备类型的解决方案:单板^® IP2，垂直输送线，常规提升机
市场领先Uniplate^® IP2设备用于水平输送生产

应用程序

保形镀
BMV填充
TH填充
预处理
金属抗蚀剂，电解最终抛光

产品组合

保形镀铜

小组2.4毫米厚度包括. 闪光铜，孔直径0.2 mm, aspect ratio: 12:1, throwing power: > 85%

大批量保形电镀生产 Uniplate^® InPulse2设备: Inpulse^® 2 hfu2 是否掩盖了钻削缺陷，并提供了可靠的楔形空隙覆盖，这要归功于它在bmv中优越的投掷力. 该工艺是可靠的mSAP闪光电镀的理想解决方案. Inpulse^® 2HT2 确保最佳电镀均匀性通过孔与显著改善表面镀铜分布, 对比高、低孔密度区域.
梅高美集团的最新版本 Cupracid^® TP系列:Cupracid^® TP3. 这是一种使用可溶阳极的传统提升式直流设备的电解镀铜工艺. 它在高电流密度和低表面张力下提供了出色的投掷力，可用于bmv和通孔的全面润湿. Cupracid^® TP3提供优良的可靠性结果. 这是一个非常稳健的过程，电镀性能稳定后的空闲时间.
Cupracid®AC5 我们的下一代工艺是可溶阳极保形镀铜吗. 在高电流密度下，它甚至可以提高bmv和穿洞的投掷能力. 它兼容于市场上广泛的金属化工艺，非常适合汽车生产. Cupracid®AC5兼容广泛的垂直输送系统与喷雾电解液搅拌，以及提升式设备与空气搅拌.
Cuprapulse^® XP7 对于可溶阳极系统，我们的脉冲电镀溶液是高长宽比保形铜电镀. 直流技术甚至没有接近Cuprapulse®XP7的投掷功率性能. 高电流密度脉冲电镀允许提高生产率，同时提高质量，如更好的表面分布和线形状.
Cuprapulse®在 我们是否能够满足市场对VCP和提升系统中不溶性阳极垂直脉冲电镀日益增长的需求. 与具有可溶阳极的标准脉冲电镀工艺相比，它提供了更均匀的铜外观. 它可以在紊流条件下运行，没有出油或双音效应. 脉冲电镀允许在最短的电镀时间内提供卓越的抛镀能力，使您的电镀设备具有高的吞吐能力.
特别是针对挠性/刚挠性市场的需求，我们已经开发 InPro®FLEX2 / Cupracid®FLEX2. 这两种工艺都以高电流密度共形镀铜为目标，并在通孔中提供良好的抛镀能力. 用这两种方法镀的镀层具有优良的晶体结构, 延展性和灵活性为最高的可靠性在flex应用. InPro®FLEX2适用于不溶性阳极，Cupracid®FLEX2适用于溶性阳极.

铜BMV填充

面板和模式模式的BMV填充(Inpulse®2HF9和Inpulse®3MSAP2)

水平BMV填充: Inpulse®2 hf9 提供卓越的BMV填充性能(Superfilling®). 以最小的表面镀铜达到最佳的BMV填充效果. 因此，在独特的Uniplate®InPulse2系统中使用Inpulse®2HF9与梅高美集团 fe -氧化还原Cu补充系统相结合，是非常适合高端和大批量HDI生产的理想选择. Inpulse®3 msap2，与…结合 Uniplate®InPulse3 该设备提供良好的面板表面分布模式BMV填充. 该工艺是专用于mSAP和amSAP生产在最高电流密度，并提供杰出的矩形线形状.
垂直BMV填充: InPro®MVF 和 InPro®MVF2 VCP工艺是否适用于当前和下一代HDI BMV填充. 它们设计用于直流模式下的不溶性阳极，并提供了极好的模式BMV填充，而无需在最小镀厚的圆顶电镀. 我们的大规模生产证明 InPro®四氢呋喃 在不溶性阳极的VCP系统中，不仅可以进行通孔填充，而且是一种高电流密度的BMV填充过程. 它是mSAP应用程序的参考. 它的继任者 InPro®THF2 提供更大的填充能力, 具有较高的均匀性和延展性，尤其适用于amSAP产品.
InPro®SAP3 我们在不溶性阳极的VCP系统中进行IC衬底BMV填充的大规模生产工艺是否经过验证. 它提供了一个优秀的单元内分布. 为了提高IC基板的产量，可在高适用电流密度下实现高均匀性. 铜填充性能均匀，工作窗口宽，确保稳定可靠的生产结果，细线应用. InPro®SAP6是我们的下一代工艺. 它可以在更高的电流密度下运行，以提高生产率. InPro®SAP6 与POR化学相比，在高要求的IC层和卓越的表面处理方面提供了市场上最好的单元内分布.
BMV填充在flex应用可以是具有挑战性的, 特别是在轧制退火(RA)铜箔的情况下使用. 在这些情况下, 很难做到统一, 由于RA铜的晶体结构，无空洞填充，表面铜外观光亮. InPro®RA 提供卓越的光泽和可靠的填充性能，即使在半蚀刻的RA铜箔和满足行业可靠性标准的flex应用. 与VCP兼容, 具有不溶阳极和喷淋式电解液搅拌的提升式和卷筒对卷筒设备.

铜通孔充填

激光钻孔，无包裹体通孔:直径100µm，面板厚度0.2mm，镀铜15µm

Inpulse^® 2 thf2 以及独一无二的Uniplate^® InPulse2水平反向脉冲电镀系统非常适合于通孔填充 , 特别适用于铜箔厚度小于5µm的芯材. Inpulse^® 2 thf2结合x镀和Superfilling专利技术，提供可靠且无杂质的铜通孔填充^® 在一个化学过程中实现尽可能低的表面厚度的技术.
InPro®四氢呋喃 是用于IC基板生产的VCP设备中激光烧蚀穿孔(LTH)的填充电解质吗. 直流镀工艺已在世界范围内的VCP设备上大批量生产. 它的继任者 InPro THF2 提供增加填充性能和均匀性. 这两种方法也可用于在最高电流密度下(a)mSAP生产的模式BMV填充.

Electroytic完成

用于填充最小SRO的焊料

Nikotron^®:确保镍镀层柔软，延展性好，内应力低. 应力水平和硬度可以控制.
Aurotron^®:一种电解镀金工艺，可用于线键合和焊接以及硬金应用.
Pallatron:提供电解钯沉积更高的可靠性和降低成本的镍/钯/金应用.
SolderFill^®:高速电解锡焊库电镀，克服了锡膏印刷和微球放置的限制.
StannoBond^®铜柱焊锡和热压焊用的电解镀锡工艺.

RDL和支柱电镀

新 Innolyte®产品家族 为电解电镀配套创新的电镀设备技术, 的多平台®. 我们的高纯度Innolyte®化学产品设计用于在最高电流密度下电镀RDL结构和支柱，同时实现电镀结构的优异均匀性. 镀铜是高铜纯度，以确保最高的铜性能和可靠性.

预处理

35°C清洗3分钟:无侵蚀，无干膜脱落

CupraPro^® S8:可降解的预处理，适用于所有HDI面板和图案镀铜应用. 它具有优异的清洁性能，并且具有低的动态表面张力，以达到最佳的润湿效果，减少了拖出.
CupraPro^® MV:可降解的IC基板电镀前处理产品, 专门开发用于垂直提升式设备. 它是免费的NPE和快速拨款, 有效的预处理通过其低动态表面张力通过填充应用减少拖出.
CupraPro^® VC:一种新的酸前处理产品，适用于所有面板和图案镀铜应用, 专门开发用于垂直输送设备. 它可以在湍流的流体环境中快速产生低泡沫, 有效润湿所有结构, 特别是高纵横比的穿洞和bmv.

InPro^® 四氢呋喃/ InPro^® THF2

(a)mSAP使用不溶性阳极在VCP中填充面板/图案

InPro^® MVF / InPro^® MVF2

优良的填充效果为下一代. HDI, flex和汽车产品的生产

Inpulse^® 2 thf2

卧式设备无包容性通孔充填

Cupracid^® AC5

高落差保形镀铜，用于MLB和HDI生产

Uniplate^® InPulse2

阿托克领先的电解铜沉积集成水平系统

独特的Uniplate^® InPulse2系统和工艺非常适合满足高端生产使用脉冲电镀在高有效电流密度和不溶性阳极的所有需求.

Inpulse^® 2HF9—阿托科技的超级填充技术允许可靠的高容量HDI生产堆叠技术
Inpulse^® 2 thf2 -一种独特的工艺，使无杂质贯穿孔填充，表面镀铜最少
Inpulse^® 2 hfu2 -最佳的BMV制备后续层压和铜填充在mSAP生产过程中

多平台^® P

阿托科技为下一代包装技术提供解决方案

MultiPlate®是一种ECD工具，提供了必要的多功能性，以应对当前和未来的挑战，在先进的封装技术中实现最佳性能. MultiPlate®P系统是专为面板级包装设计的，并能够加工高达650×610毫米的面板.
Innolyte®PLP - RDL和经充工艺提供了良好的分布和经充能力，结合良好的直线形状
Innolyte®P -高纯度铜支柱电镀电流密度高达20 A/dm²，最佳均匀性和无空洞的IMC.